DE3708499C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3708499C2
DE3708499C2 DE3708499A DE3708499A DE3708499C2 DE 3708499 C2 DE3708499 C2 DE 3708499C2 DE 3708499 A DE3708499 A DE 3708499A DE 3708499 A DE3708499 A DE 3708499A DE 3708499 C2 DE3708499 C2 DE 3708499C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
delay
circuit
push
output
pull driver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3708499A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3708499A1 (de
Inventor
Hans 8018 Grafing De Reichmeyer
Josef 8000 Muenchen De Stockinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sgs Halbleiter-Bauelemente 8018 Grafing De GmbH
Original Assignee
Sgs Halbleiter-Bauelemente 8018 Grafing De GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sgs Halbleiter-Bauelemente 8018 Grafing De GmbH filed Critical Sgs Halbleiter-Bauelemente 8018 Grafing De GmbH
Priority to DE19873708499 priority Critical patent/DE3708499A1/de
Priority to JP63061746A priority patent/JPS63245011A/ja
Priority to EP88104128A priority patent/EP0282981A3/de
Publication of DE3708499A1 publication Critical patent/DE3708499A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3708499C2 publication Critical patent/DE3708499C2/de
Priority to US07/464,726 priority patent/US5126588A/en
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • H03K17/6872Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor using complementary field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/163Soft switching
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/165Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches by feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/166Soft switching
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/0013Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits

Description

Die Erfindung betrifft eine digitale Gegentakt-Treiber­ schaltung gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei dem Bestreben, Mikroprozessoren und damit arbeiten­ de Mikrocomputer immer schneller zu machen, sind die Flanken der Datenimpulse sehr steil geworden. Dies führt bei einigen Anwendungen zu Störungen von Schaltungen oder Geräten außerhalb des Mikrocomputers. Beispiels­ weise führen derart schnelle Datenimpulsflanken im Auto­ mobilbereich zu Störungen von Autoradios.
Störungen treten insbesondere bei Verwendung von CMOS- Mikroprozessoren auf. Bei den dabei verwendeten Gegen­ takt-Ausgangsstufen kommt es im Übergangsbereich zwischen dem Leitendschalten des einen und dem Sperren des anderen Transistors zu Quer- oder Kurzschlußströmen, weil dann vorübergehend beide Transistoren leitend sind. Insbe­ sondere dann, wenn an mehreren Ausgängen gleichzeitig solche Querströme auftreten, kann es zu erheblichen, kurzzeitigen Strombelastungen der Spannungsversorgungs­ quelle und damit ebenfalls zu impulsförmigen Störsignalen kommen.
Bei einer bekannten Lösung zur Überwindung des Problems hat man einerseits zwischen die beiden Pole der Spannungsversorgungsquelle einen Kondensator geschaltet, um die störenden Versorgungsstromspitzen zu glätten, und hat man andererseits jedem Ausgang des Mikroprozessors eine Filterschaltung nachgeschaltet, entweder in Form einer RC-Schaltung, wenn es weniger auf verfügbare Aus­ gangsleistung ankommt, oder in Form einer LC-Schaltung.
Der zwischen die Pole der Versorgungsspannungsquelle geschaltete Kondensator muß einerseits hohe Leistungen verkraften können und andererseits für hohe Frequenzen tauglich sein. Dies bedeutet relativ teuere Bauelemente und relativ hohen Platzbedarf. Jeden Ausgang des Mikro­ prozessors mit einer RC- oder LC-Filterschaltung zu ver­ sehen, führt ebenfalls zu hohen Kosten und Platzaufwand.
Diese bekannten Maßnahmen sind besonders problematisch, wenn der Mikroprozessor in häufig praktizierter Weise Teil einer Dünnschicht-Schaltung ist.
Aus der DE-AS 27 37 506 ist eine Gegentakt-Treiberschaltung der eingangs angegebenen Art bekannt, die als Ausgangsverstärker zur Impedanzwandlung dient und bei welcher die üblicherweise erforderliche Stufenzahl auf zwei Stufen verringert worden ist, indem für die Ausgangsstufe Transistoren mit relativ großer Eingangskapazität verwendet worden sind. Dies bedeutet, daß die komplementären Transistoren der Gegentakt-Endstufe langsamer umschalten als bei vielstufigen Impedanzwandlern und daß daher die Übergangszeiten zwischen Beginn und Ende einer jeweiligen logischen Umschaltung der Endstufe länger dauern als bei vielstufigen Impedanzwandlern. Dem resultie­ renden Effekt, daß für längere Zeit Querströme fließen und damit die mittlere Verlustleistung erhöht wird, versucht man bei dieser bekannten Schaltung dadurch zu begegnen, daß man bei jedem der beiden komplementären Ausgangstransistoren den Einschaltvorgang noch weiter verzögert, während man den Ausschaltvorgang läßt wie er ist. Zu diesem Zweck ist dem Gate eines jeden der beiden Ausgangstransistoren eine Parallel­ schaltung aus einem Widerstand und einer Diode vorgeschaltet. Dabei sind die Dioden so gepolt, daß der Einschaltsteuerstrom über den Widerstand fließen muß, während der Ausschalt­ steuerstrom über die Diode durchgelassen wird. Widerstand und Eingangskapazität des jeweiligen Endstufentransistors führen zu einer entsprechend hohen Zeitkonstante und damit zu der erwünschten Verlangsamung des Einschaltvorgangs.
Durch diese bekannte Maßnahme erreicht man zwar eine Ver­ ringerung der jeweiligen Querstrom- und damit Verlust­ leistungszeit, jedoch keine Beseitigung. Wie in den Fig. 2b und 2d dieser Druckschrift gezeigt ist, überlappen sich die Einschaltübergangszeit des einen Transistors und die Aus­ schaltübergangszeit des anderen Transistors, so daß weiter­ hin ein bestimmter Zeitraum bleibt, währenddessen Querströme fließen.
Durch diese bekannte Maßnahme hat man zwar das Problem der Querströme etwas verringert. Die weitere Störungserscheinung, daß steile Impulsflanken bei schnellen CMOS-Mikroprozessoren zu den eingangs geschilderten Störungseffekten führen, ist jedoch durch die bekannten Maßnahmen in keiner Weise gemil­ dert.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Gegentakt- Treiberschaltung der eingangs angegebenen Art die Querstrom­ störungsprobleme weiter zu verringern und die durch steile Impulsflanken verursachten hochfrequenten Störungen zu ver­ meiden.
Eine Lösung dieser Aufgabe ist im Anspruch 1 ange­ geben und kann den Unteransprüchen vorteil­ haft weitergebildet werden.
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen wird ei­ nerseits sichergestellt, daß die an den Ausgängen auftre­ tenden Signalimpulse genügend langsame Flankenüber­ gänge aufweisen, um in andere Schaltungen oder Gerä­ te hineinwirkende HF-Störungen zu unterbinden, und andererseits, daß keine Zeiten gemeinsamen Leitens der beiden Ausgangstransistoren einer Ausgangsstufe auf­ treten, was die ebenfalls störenden Versorgungsstrom­ impulse verhindert und insgesamt zu einer geringeren Verlustleistung führt.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung befindet sich zwischen dem Ausgang der Treiberstufe und dem Freigabeeingang einer jeden Ver­ zögerungsschaltung je eine Rückkopplungskapazität, mittels welcher sowohl die Flankensteilheitsverminde­ rung als auch die Verzögerungszeit einer jeden Verzö­ gerungsschaltung von Laststrom der Treiberschaltung abhängig gemacht werden.
Die Verzögerungsschaltungen können je durch eine verzögerungsbehaftete Torschaltung, beispielsweise ein NOR- oder ein NAND-Glied, gebildet sein. Es besteht aber auch die Möglichkeit, in beiden Verzögerungs­ schaltungen je eine monostabile Kippstufe (Monoflop) vorzusehen, von denen eine auf die ansteigenden und die andere auf die abfallenden Impulsflanken verzö­ gernd reagieren, wobei die jeweils andere Flanke unver­ zögert durchgelassen wird.
Weiterhin besteht die Möglichkeit, in den Verzöge­ rungsschaltungen bistabile Kippschaltungen (Flip- Flops) zu verwenden, die einerseits von den Datenim­ pulsen und andererseits von separaten Taktimpulsen gesteuert werden. Dabei ist zu berücksichtigen, daß das zeitliche Auftreten der Taktsignale so erfolgen muß, daß die von den Flip-Flops erzeugten Verzögerungszeiten länger sind als die Flankenübergänge der flankensteil­ heitsverminderten Impulse.
Man kann die Verzögerungsschaltungen entweder durch eine Reihenschaltung aus einem Verzögerungs­ glied und einem Flankenverminderungsglied aufbauen oder man kann alternativ für die Verzögerungsschaltun­ gen Verzögerungsglieder verwenden, die selbst eine Flankensteilheitsverminderung bewirken, beispielswei­ se schwachdimensionierte Transistoren in den Torschal­ tungen.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen näher erläutert. In den Figuren zeigt
Fig. 1 eine erste Ausführungsform einer erfindungsge­ mäßen Gegentakt-Treiberschaltung;
Fig. 2(a) bis (f) Spannungsverläufe an verschiedenen Punkten der in Fig. 1 gezeigten Gegentakt- Treiberschaltung;
Fig. 3 ein Beispiel für eine schaltungsmäßige Reali­ sierung der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform;
Fig. 4 eine zweite Ausführungsform der erfindungsge­ mäßen Gegentakt-Treiberschaltung;
Fig. 5 ein schaltungsgemäßes Beispiel einer Realisie­ rung der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform; und
Fig. 6(a) und (b) Übertragungskennlinien zweier in Fig. 5 gezeigter Inverter.
Die in Fig. 1 gezeigte Ausführungsform enthält eine Gegentakt-Treiberschaltung in CMOS-Technik, d. h., mit zwei komplementären MOS-Transistoren Q 1 und Q 2. Diese befinden sich in Reihenschaltung zwischen den beiden Polen einer Versorgungsspannungsquelle U B .
Der Gate-Elektrode des Transistors Q 1 ist eine Reihen­ schaltung aus einem Verzögerungsglied V 1 und einem Flankensteilheitsverminderungsglied FV 1 vorgeschaltet. Der Gate-Elektrode des Transistors Q 2 ist eine Reihen­ schaltung aus einem Verzögerungsglied V 2 und einem Flankensteilheitsverminderungsglied FV 2 vorgeschaltet. Die Eingänge der beiden Verzögerungsglieder V 1 und V 2 sind gemeinsam an einen Dateneingang E angeschlossen. Die beiden Verzögerungsglieder V 1 und V 2 sind je frei­ gabeabhängig, d. h., daß sie das an ihrem Eingang an­ liegende Signal nach Freigabe durch ein Frei­ gabesignal an einem Freigabeeingang FE 1 bzw. FE 2 durch­ lassen. Der Ausgang des Verzögerungsglieds V 1 ist mit dem Freigabeeingang FE 2 verbunden, während der Ausgang des Verzögerungsglieds V 2 mit dem Freigabeeingang FE 1 verbunden ist.
Die Buchstaben a bis e und o bezeichnen in den Fig. 2(a) bis (f) gezeigte Spannungssignale.
Es wird nun die Funktionsweise der in Fig. 1 als Block­ schaltbild prinzipartig gezeigten Ausführungsform er­ läutert. Dabei bedeuten H einen hohen Signalwert und L einen niedrigen Signalwert, denen man beispielsweise die Logikwerte "1" bzw. "0" zuordnen kann.
Als Beispiel sei betrachtet, daß das Eingangssignal e von L auf H übergeht. Als Folge davon geht das Ausgangs­ signal b von V 2 von H nach L. Beginnend mit diesem Signalübergang von b nimmt das Signal d von H mit abge­ schrägter Flanke bis auf L ab. Damit wird Q 2 entsprechend allmählich vom leitenden Zustand in den sperrenden Zu­ stand gebracht.
Der Übergang von H nach L des Signals b gibt das Ver­ zögerungsglied V 1 frei, so daß dieses nach einer Ver­ zögerungszeit, die länger ist als die Flankenübergangs­ zeit des Signals d, vom H- in den L-Zustand übergeht.
Diese Flanke des Signals a löst den allmählichen Über­ gang des Signals C vom H- zum L-Zustand aus. Dadurch wird Q 1 entsprechend allmählich vom sperrenden in den leitenden Zustand gebracht.
Den Signalverläufen in Fig. 2 kann man entnehmen, daß durch diese Maßnahme jeder der beiden Transistoren Q 1 und Q 2 erst dann in den leitenden Zustand gebracht werden kann, wenn der jeweils andere Transistor voll­ ständig gesperrt ist. Am Ausgang O tritt somit ein Ausgangssignal 0 mit abgeschrägten Flanken gemäß Fig. 2(f) auf. Da die beiden Transistoren Q 1 und Q 2 nie gleichzeitig eingeschaltet sind, sind auch die störenden Quer- oder Kurzschlußströme vermieden.
In Fig. 3 ist eine schaltungsmäßige Realisierung der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform gezeigt. Dabei sind die Verzögerungsglieder durch je ein NOR-Glied NO 1 bzw. NO 2 gebildet. Dabei sind erste Eingänge von NO 1 und NO 2 mit dem Dateneingang E verbunden, und zwar im Fall von NO 1 über einen ersten Inverter I 1 und im Fall von NO 2 direkt. Zweite Eingänge von NO 1 und NO 2 sind mit dem Ausgang des jeweils anderen NOR-Glieds NO 2 bzw. NO 1 verbunden. Die Ausgänge von NO 1 und NO 2 sind mit den Gate-Elektroden von Q 1 und Q 2 über einen zweiten Inverter I 2 bzw. einen Puffer P verbunden.
Die NOR-Glieder NO 1 und NO 2 sind intern so dimensioniert, daß ihre Signalpfade zwischen den zweiten Eingängen und den Ausgängen verzögerungsbehaftet sind. Der zweite In­ verter I 2 und der Puffer P sind so dimensioniert, daß sie eine Flankensteilheitsverminderung bewirken. Zu diesem Zweck sind sie beispielsweise mit schwach dimen­ sionierten Transistoren ausgebildet. Das heißt, daß der maxi­ male Ausgangsstrom von I 2 und P so niedrig bemessen ist, daß die Gate-Kapazität von Q 1 bzw. Q 2 nur mit der ge­ wünschten steilheitsverminderten Flanke aufgeladen wird.
Die Verzögerungszeit von NO 1 bezüglich seines zweiten Eingangs muß größer sein als die von P bewirkte Flanken­ steilheitsverminderung. Gleichermaßen muß die Verzöge­ rungszeit von NO 2 bezüglich seines zweiten Eingangs größer sein als die von I 2 bewirkte Flankensteilheits­ verminderung.
Eine zweite Ausführungsform der Erfindung in Form eines Blockschaltbildes ist in Fig. 4 gezeigt. Mit Fig. 1 über­ einstimmende Komponenten sind mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
Im Unterschied zu der Ausführungsform nach Fig. 1 weist die Ausführungsform nach Fig. 4 eine kapazitive Rück­ kopplung zwischen dem Ausgang O und den Verzögerungs­ gliedern auf. Zu diesem Zweck ist zwischen den Freigabe­ eingang des Verzögerungsgliedes V 2 und den Ausgangsan­ schluß O eine erste Rückkopplungskapazität C 1 und zwischen den Freigabeeingang des Verzögerungsglieds V 1 und den Ausgangsanschluß O eine zweite Rückkopplungs­ kapazität C 2 geschaltet. Die nicht mit dem Ausgang O verbundenen Seiten von C 1 und C 2 sind außerdem mit dem Gate von Q 1 bzw. Q 2 verbunden.
Die Rückkopplungskondensatoren C 1 und C 2 bewirken eine Verlangsamung der Umschaltvorgänge der Transistoren Q 1 und Q 2 und somit eine Verlangsamung der Pegeländerung am Treiber-Ausgangsanschluß O.
Die von den Rückkopplungskondensatoren C 1 und C 2 be­ wirkte Verzögerung wirkt sich auch auf eine entsprechend verzögerte Freigabe der Verzögerungsglieder V 2 bzw. V 1 aus.
Eine schaltungsmäßige Realisierung der in Fig. 4 ge­ zeigten Ausführungsform zeigt Fig. 5. Bei dieser Treiber­ schaltung ist das Verzögerungsglied V 1 durch ein NAND- Glied NA gebildet, während das Verzögerungsglied V 2 durch ein NOR-Glied NO gebildet ist. Auch in diesem Fall ist wieder ein erster Eingang des jeweiligen Verzöge­ rungsglieds mit dem Dateneingang E verbunden und ein mit interner Verzögerung behafteter zweiter Eingang mit dem Ausgang des jeweils anderen Verzögerungsglieds verbunden. Und zwar ist der zweite Eingang von NA über einen ersten Inverter I 3 mit dem Ausgang von NO und der zweite Ein­ gang von NO über einen zweiten Inverter I 4 mit dem Aus­ gang von NA verbunden. Der Ausgang von NA ist direkt mit dem Gate von Q 1 und über einen ersten Rückkopplungs­ kondensator C 1 mit dem Ausgangsanschluß O verbunden, während der Ausgang von NO direkt mit dem Gate von Q 2 und über einen zweiten Rückkopplungskondensator C 2 mit dem Ausgang O verbunden ist.
Die Verzögerung der beiden Verzögerungsglieder kann ent­ weder durch die interne Verzögerung von NA bzw. NO und/ oder durch eine durch entsprechende Schaltungsauslegung erzielte Verzögerung der Inverter I 3 und I 4 erreicht werden. Die Flankensteilheitsverminderung wird durch die Dimensionierung von NA und NO bewirkt.
Fig. 6(a) und (b) zeigen das Übertragungsverhalten der Inverter I 3 bzw. I 4, das zu dem gewünschten Gesamtver­ halten der Schaltung hinsichtlich Querstromunterdrückung führt. Gemäß Fig. 6(a) soll der Inverter I 4 erst dann vom H-Zustand zum L-Zustand übergehen, wenn sein Ein­ gangssignal deutlich oberhalb der halben Versorgungs­ spannung liegt. Im Gegensatz dazu soll gemäß Fig. 6(b) der Inverter I 3 schon von seinem H-Zustand in seinen L-Zustand übergehen, wenn sein Eingangssignal noch deut­ lich unter der halben Versorgungsspannung liegt.

Claims (9)

1. Digitale Gegentakt-Treiberschaltung, insbesondere für Mikroprozessor-Ausgangsstufen, mit zwei von einer Daten- Steuerschaltung abwechselnd leitend gesteuerten Ausgangs­ transistoren (Q 1, Q 2), an deren gemeinsamen Verbindungs­ punkt (O) eine zu treibende Last anschießbar ist, und mit Flankensteilheitsverminderungsschaltungen (FV 1, FV 2), die je zwischen die Steuerelektrode eines der beiden Aus­ gangstransistoren und die Daten-Steuerschaltung geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet,
daß den Flankensteilheitsverminderungsschaltungen (FV 1, FV 2) je eine freigabeabhängige Verzögerungsschaltung (V 1, FV 1 bzw. V 2, FV 2; NO 1, I 2 bzw. NO 2 P; NA, I 3 bzw. NO, I 4) zugeordnet ist,
daß der Ausgang einer jeden Verzögerungsschaltung mit einem Freigabeeingang (FE 1, FE 2) der jeweils anderen Ver­ zögerungsschaltung verbunden ist, und
daß die Verzögerungszeiten der beiden Verzögerungsglieder mindestens so lang wie die zeitliche Breite der steilheits­ verminderten Pulsflanken sind.
2. Gegentakt-Treiberschaltung nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß die Verzögerungsschaltungen je durch eine verzögerungsbehaftete Torschaltung (NO 1, NO 2; NA, NO) gebildet sind, die einen mit der Daten- Steuerschaltung verbundenen ersten Eingang und einen mit dem Ausgang der jeweils anderen Torschaltung ver­ bundenen zweiten Eingang aufweist.
3. Gegentakt-Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verzögerungsschaltungen je durch eine Torschaltung gebildet sind, die einen mit der Daten­ steuerschaltung verbundenen ersten Eingang und einen mit einer gesonderten Verzögerungssignalgeberschaltung ver­ bundenen zweiten Eingang aufweisen.
4. Gegentakt-Treiberschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verzögerungs­ schaltungen je durch eine Reihenschaltung aus einem Ver­ zögerungsglied (V 1, V 2; NO 1, NO 2; NA, NO) und einem Flankensteilheitsverminderungsglied (FV 1, FV 2; I 2, P; NA, I 3, NO, I 4) gebildet sind.
5. Gegentakt-Treiberschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Eingänge der Verzöge­ rungsschaltung je mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Verzögerungsglied (V 1, V 2; NO 1, NO 2) und dem Flanken­ steilheitsverminderungsglied (FV 2 bzw. FV 1; P bzw. I 2) des jeweils anderen Verzögerungsglieds verbunden sind.
6. Gegentakt-Treiberschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Eingänge der Verzöge­ rungsglieder (V 1, V 2) je mit dem Ausgang des Flanken­ steilheitsverminderungsgliedes (FV 2 bzw. FV 1) der je­ weils anderen Verzögerungsschaltung verbunden sind.
7. Gegentakt-Treiberschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den gemeinsamen Verbindungs­ punkt (O) der beiden Ausgangstransistoren (Q 1, Q 2) und den Verbindungspunkt zwischen Verzögerungsglied (V 1, V 2) und Flankensteilheitsverminderungsglied (FV 1, FV 2) einer jeden Verzögerungsschaltung je ein Rückkopplungskonden­ sator (C 1 bzw. C 2) geschaltet ist.
8. Gegentakt-Treiberschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückkopplungskondensatoren (C 1, C 2) durch die parasitären Drain-Gate-Kapazitäten der Ausgangstransistoren (Q 1, Q 2) gebildet sind.
9. Gegentakt-Treiberschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Verzögerungs­ glieder (V 1, V 2, NO 1, NO 2, NA, NO) je einen Freigabeein­ gang besitzen, der es erlaubt, beide Verzögerungsglieder abzuschalten und damit beide Ausgangstransistoren (Q 1, Q 2) in den nicht-leitenden Zustand zu schalten.
DE19873708499 1987-03-16 1987-03-16 Digitale gegentakt-treiberschaltung Granted DE3708499A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873708499 DE3708499A1 (de) 1987-03-16 1987-03-16 Digitale gegentakt-treiberschaltung
JP63061746A JPS63245011A (ja) 1987-03-16 1988-03-15 デジタルプッシュプルドライバ回路
EP88104128A EP0282981A3 (de) 1987-03-16 1988-03-15 Digitale Gegentakt-Treiberschaltung
US07/464,726 US5126588A (en) 1987-03-16 1990-01-16 Digital push-pull driver circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873708499 DE3708499A1 (de) 1987-03-16 1987-03-16 Digitale gegentakt-treiberschaltung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3708499A1 DE3708499A1 (de) 1988-10-20
DE3708499C2 true DE3708499C2 (de) 1989-09-14

Family

ID=6323193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19873708499 Granted DE3708499A1 (de) 1987-03-16 1987-03-16 Digitale gegentakt-treiberschaltung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5126588A (de)
EP (1) EP0282981A3 (de)
JP (1) JPS63245011A (de)
DE (1) DE3708499A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0689291A2 (de) 1994-06-18 1995-12-27 Deutsche ITT Industries GmbH MOS-Treiberschaltung

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4906867A (en) * 1988-11-09 1990-03-06 Ncr Corporation Buffer circuit with load sensitive transition control
DE69010925T2 (de) * 1989-01-24 1995-03-23 Integrated Device Tech CMOS-Ausgangstreiber.
JPH03169273A (ja) * 1989-11-22 1991-07-22 Mitsubishi Electric Corp スイッチングデバイス駆動回路
US5155398A (en) * 1990-12-21 1992-10-13 Motorola, Inc. Control circuit for high power switching transistor
US5276358A (en) * 1991-11-05 1994-01-04 Texas Instruments Incorporated Circuitry and method for controlling voltage in an electronic circuit
JP3179276B2 (ja) * 1993-03-26 2001-06-25 キヤノン株式会社 磁気ヘッド駆動方法および光磁気記録方法
DE69315350T2 (de) * 1993-12-23 1998-06-10 Sgs Thomson Microelectronics Eine kombinierte CMOS und NPN Ausgangs-Pull-up-Schaltung
TW265489B (en) * 1994-07-20 1995-12-11 Micron Technology Inc Low-to-high voltage cmos driver circuit for driving capacitive loads
US5883538A (en) * 1996-11-13 1999-03-16 Micron Technology, Inc. Low-to-high voltage CMOS driver circuit for driving capacitive loads
DE19507085C2 (de) * 1995-03-01 2003-11-20 Bosch Gmbh Robert Schaltungsanordnung zur aktiven Begrenzung der Flankensteilheit
US5610548A (en) * 1995-09-08 1997-03-11 International Business Machines Corporation Split drive clock buffer
US5621342A (en) * 1995-10-27 1997-04-15 Philips Electronics North America Corporation Low-power CMOS driver circuit capable of operating at high frequencies
US5886503A (en) * 1996-05-29 1999-03-23 Peco Ii, Inc. Back-up battery management apparatus for charging and testing individual battery cells in a string of battery cells
US5777454A (en) * 1996-05-29 1998-07-07 Peco Ii, Inc. Back-up battery management system for a DC power supply
US5825206A (en) * 1996-08-14 1998-10-20 Intel Corporation Five volt safe output buffer circuit that controls the substrate and gates of the pull-up devices
KR100224669B1 (ko) * 1996-12-10 1999-10-15 윤종용 내부 전원 전압 발생기 회로
WO1999003206A1 (en) * 1997-07-08 1999-01-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Output stage with slewing control means
US6014046A (en) * 1997-07-31 2000-01-11 International Business Machines Corporation Off chip driver (OCD) with variable drive capability for noise control
US6356101B1 (en) * 1999-12-28 2002-03-12 Honeywell International Inc. Glitch removal circuitry
TW503620B (en) * 2000-02-04 2002-09-21 Sanyo Electric Co Drive apparatus for CCD image sensor
US6819784B1 (en) * 2000-04-04 2004-11-16 Upek, Inc. Method of and system for compensating for injection gradient in a capacitive sensing circuit array
TW528939B (en) * 2001-10-03 2003-04-21 Realtek Semi Conductor Co Ltd Output circuit having adjustment of output voltage slew rate
DE10241564B3 (de) * 2002-09-07 2004-01-15 Semikron Elektronik Gmbh Verfahren zur Fehlererkennung in der Datenübertragung zu einer Treiberschaltung
US7102389B2 (en) * 2004-08-26 2006-09-05 International Business Machines Corporation Voltage translator with data buffer
CN103731131A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 成都众易通科技有限公司 网络连接状态管脚电路
FR2998742B1 (fr) * 2012-11-28 2016-12-09 Thales Sa Dispositif d alimentation a circuit de decharge sequence
JP2016058769A (ja) * 2014-09-05 2016-04-21 株式会社東芝 出力回路および光結合装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3845328A (en) * 1972-10-09 1974-10-29 Rca Corp Tri-state logic circuit
US3906255A (en) * 1974-09-06 1975-09-16 Motorola Inc MOS current limiting output circuit
US3961269A (en) * 1975-05-22 1976-06-01 Teletype Corporation Multiple phase clock generator
JPS5915533B2 (ja) * 1976-08-20 1984-04-10 シチズン時計株式会社 電子装置の駆動回路
DE2737544B2 (de) * 1977-08-19 1979-06-21 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Ausgangsverstärker mit CMOS-Transistoren
DE2737506C2 (de) * 1977-08-19 1979-08-16 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Ausgangsverstärker mit CMOS-Transistoren
GB2032719A (en) * 1978-09-21 1980-05-08 Ward Goldstone Ltd An electronic switch and method of operating it
DE2904674C2 (de) * 1979-02-08 1980-11-20 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Schaltungsanordnung mit einem als Schalter dienenden Transistor
JPS5787620A (en) * 1980-11-20 1982-06-01 Fujitsu Ltd Clock generating circuit
JPS58142626A (ja) * 1982-02-18 1983-08-24 Toshiba Corp 出力バツフア回路
JPS58188931A (ja) * 1982-04-28 1983-11-04 Seiko Epson Corp Cmosバツファアンプ駆動回路
JPS59201524A (ja) * 1983-04-30 1984-11-15 Fujitsu Ltd 出力回路
US4540904A (en) * 1983-05-03 1985-09-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Tri-state type driver circuit
JPS6026201A (ja) * 1983-07-23 1985-02-09 バブコツク日立株式会社 廃熱回収装置
JPS6051171A (ja) * 1983-08-30 1985-03-22 Sankyo Co Ltd β−ラクタム系化合物の製造法
JPS60224325A (ja) * 1984-04-23 1985-11-08 Nec Corp 3ステ−ト出力回路
JPS61141221A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Seiko Instr & Electronics Ltd Cmosドライバ
JPS61268181A (ja) * 1984-12-28 1986-11-27 Taiji Imoto S−置換アルキル化還元リゾチ−ムおよびその製造方法
US4622482A (en) * 1985-08-30 1986-11-11 Motorola, Inc. Slew rate limited driver circuit which minimizes crossover distortion
JPS62135013A (ja) * 1985-12-07 1987-06-18 Nec Corp 出力回路
JPS62166615A (ja) * 1986-01-18 1987-07-23 Sanyo Electric Co Ltd Cmosバツフア
JPS62167698A (ja) * 1986-01-20 1987-07-24 Fujitsu Ltd 半導体記億装置
US4725747A (en) * 1986-08-29 1988-02-16 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit distributed geometry to reduce switching noise

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0689291A2 (de) 1994-06-18 1995-12-27 Deutsche ITT Industries GmbH MOS-Treiberschaltung
US5608346A (en) * 1994-06-18 1997-03-04 Deutsche Itt Industries Gmbh MOS driver circuit for suppressing interference by preventing shunt currents

Also Published As

Publication number Publication date
EP0282981A3 (de) 1989-10-18
JPS63245011A (ja) 1988-10-12
US5126588A (en) 1992-06-30
DE3708499A1 (de) 1988-10-20
EP0282981A2 (de) 1988-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3708499C2 (de)
DE3904901C2 (de)
DE2514462C3 (de) Schaltungsanordnung zur Umwandlung eines Spannungspegels
DE2556828C3 (de) Dynamisches Schieberegister aus Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
EP0149277B1 (de) Monolithisch integrierter RC-Oszillator
EP0591561A1 (de) Integrierte Schaltung zur Erzeugung eines Reset-Signals
EP0253914A1 (de) Isolierschicht-Feldeffekttransistor-Gegentakttreiberstufe mit Kompensierung von Betriebsparameterschwankungen und Fertigungsstreuungen
DE3237778A1 (de) Dynamisches schieberegister
DE3633310A1 (de) Anordnung zur formung von taktsignalen
DE2919569C2 (de) Inverter-Pufferschaltung
EP0977406B1 (de) Schaltungsanordnung zum galvanisch getrennten Übertragen von Digitalsignalen
EP0855798B1 (de) Schaltungsanordnung zum Erzeugen eines Ausgangssignals
DE2422123A1 (de) Schaltverzoegerungsfreie bistabile schaltung
EP0134527A1 (de) Dynamischer MOS-Schaltkreis
DE2822359A1 (de) Elektrisches filter
DE1807105B2 (de) Treiberschaltung für Flip-Flops
DE19905053C2 (de) Komparatorschaltung
DE19653191A1 (de) Elektrische Schaltungsanordnung mit einem schaltbaren Rückkopplungszweig
DE4421419C2 (de) MOS-Treiberschaltung
DE19906860C2 (de) Tristate-Differenz-Ausgangsstufe
EP0205649B1 (de) In CMOS-Technik realisierter Inverter
DE3109441A1 (de) Operationsverstaerker mit erhoehter einschwinggeschwindigkeit
DE2423061C2 (de) Schaltungsanordnung zur Verzögerung und zur Flankenversteilerung von Impulsen für Integrierte Schaltungen
DE2327671C3 (de) Schaltungsanordnung zur Unterdruckung von Storimpulsen
DE2904674B1 (de) Schaltungsanordnung mit einem als Schalter dienenden Transistor

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8330 Complete disclaimer